《IBM 垂直堆叠晶体管：摩尔定律还能延长十年吗》

MIT Technology Review 报道 IBM 的垂直堆叠晶体管技术，适合观察先进芯片如何在密度、能效、散热和量产缺陷之间继续推进。

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导语

这篇文章报道 IBM 的“纳米堆栈”原型芯片：它不再只靠继续缩小晶体管，而是把晶体管垂直堆成两层，以提高密度和能效。作者一边呈现 IBM 对这一技术的乐观判断，一边通过外部专家解释它与其他三维芯片路线的区别，以及未来量产必须跨过的制造缺陷和温度限制。

IBM 发布的 0.7 纳米原型芯片，在指甲大小的面积上集成约 1000 亿个晶体管，密度是 IBM 2021 年前沿技术的两倍。文章开头就把它放进摩尔定律的延续问题中：过去半个多世纪，芯片性能提升主要靠把更多晶体管塞进同一块芯片。
传统路径是缩小晶体管，但过去十五年晶体管已经逼近量子力学会干扰功能的尺度，大约只有几十纳米，继续缩小变得越来越难。因此行业开始借鉴城市规划的思路：地面不够，就向上建造。
IBM 这次公布的新架构叫 nanostack（纳米堆栈），把晶体管垂直堆在硅片上的两层。IBM 研究主管 Jay Gambetta 说这不是小幅改进，而是有意义的跃迁；他预计十年内，纳米堆栈芯片会广泛用于数据中心，帮助数据中心管理能耗。

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